1

N+-p diodes in InP formed by implantation of Ge+ or Se+ and rapid thermal annealing

Année:
1991
Langue:
english
Fichier:
PDF, 250 KB
english, 1991
3

Diffusion of Sb in Strained and Relaxed Si and SiGe

Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 140 KB
english, 1996
4

Anomalous diffusion of tin in silicon

Année:
1997
Langue:
english
Fichier:
PDF, 91 KB
english, 1997
6

Solid-Phase Epitaxial Crystallisation Of GexSi1−x Alloy Layers

Année:
1993
Langue:
english
Fichier:
PDF, 1.95 MB
english, 1993
8

Diffusion in relaxed and strained SiGe layers

Année:
1997
Langue:
english
Fichier:
PDF, 727 KB
english, 1997